GB/T 18210-2000晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 18210-2000
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量  
【 英文名稱 】 Crystalline silicon photovoltaic（PV）array-On-site measurement of I-V characteristics
【 發(fā)布單位 】 國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 2000-10-17
【 實(shí)施日期 】 2001-5-1
【 開本頁數(shù) 】 10P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 6495.1-1996; GB/T 6495.2-1996; GB/T 6495.3-1996; GB/T 6495.4-1996; IEC 60904-2:1989; IEC 60904-6:1994; IEC 60904-6:1994; IECQ QC 001002:1986; IECQ QC 001002:1986
【 采用關(guān)系 】 IDT IEC 61829:1995
【 起草單位 】 信息產(chǎn)業(yè)部電子第十八研究所; 秦皇島市華美光電設(shè)備總公司
【 起 草 人 】 由志德; 李濤勇