美開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù)

美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲(chǔ)器。
　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。
　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在充當(dāng)閃存的替代品和“接班人”。
　　該公司介紹說，新技術(shù)主要基于帶電離子在特定材料之間的運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)，其存儲(chǔ)單元不像閃存需要采用晶體管，因此在存儲(chǔ)密度等方面比閃存更有優(yōu)勢(shì)。
　　“統(tǒng)一半導(dǎo)體”計(jì)劃于2010年下半年試生產(chǎn)容量達(dá)64G的新型存儲(chǔ)器，并打算2011年第二季度將其投入量產(chǎn)。