美開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù)

美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
　　這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在充當閃存的替代品和“接班人”。
　　該公司介紹說，新技術(shù)主要基于帶電離子在特定材料之間的運動來實現(xiàn)信息的存儲，其存儲單元不像閃存需要采用晶體管，因此在存儲密度等方面比閃存更有優(yōu)勢。
　　“統(tǒng)一半導體”計劃于2010年下半年試生產(chǎn)容量達64G的新型存儲器，并打算2011年第二季度將其投入量產(chǎn)。