GB/T 6589-2002半導(dǎo)體器件 分立器件第3-2部分:信號(hào)

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 6589-2002
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) 】 半導(dǎo)體器件 分立器件第3-2部分:信號(hào)（包括開(kāi)關(guān)）和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管（不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管）空白詳細(xì)規(guī)范 
【 英文名稱(chēng) 】 Semiconductor Devices-Discrete devices-Part 3-2:Signal(including switching)and regulator diodes-Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes(excluding temperature-compensated precision reference diodes)
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
【 批準(zhǔn)單位 】 @
【 發(fā)布日期 】 2002-12-4
【 實(shí)施日期 】 2003-5-1
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 13P
【 替代標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 6589-1986
【 采用關(guān)系 】 IDT IEC 60747-3-2:1986(QC 750005)
【 起草單位 】 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所（CESI）
【 起 草 人 】 趙英