在電子產(chǎn)品設(shè)計中必須遵循抗靜電釋放的設(shè)計規(guī)則,本文介紹靜電釋放(ESD)產(chǎn)生的原理,以及機箱、屏蔽層、接地、布線設(shè)計等諸多設(shè)計規(guī)則,它們有助于預(yù)防并解決靜電釋放產(chǎn)生的危害,值得中國電子設(shè)備設(shè)計工程師認真研究和學(xué)習(xí)。
許多產(chǎn)品設(shè)計工程師通常在產(chǎn)品進入到生產(chǎn)環(huán)節(jié)時才著手考慮抗靜電釋放(ESD)的問題。如果電子設(shè)備不能通過抗靜電釋放測試,他們就會加班加點找尋不破壞原有設(shè)計的解決方案。然而,最終的方案通常都要采用昂貴的元器件,還要在制造過程中采用手工裝配,甚至需要重新設(shè)計,因此,產(chǎn)品的進度勢必受到影響。
即使對經(jīng)驗豐富的工程師和設(shè)計工程師,也可能并不知道設(shè)計中的哪些部分有利于抗ESD。大多數(shù)電子設(shè)備在生命期內(nèi)99%的時間都處于一個充滿ESD的環(huán)境之中,ESD可能來自人體、家具、甚至設(shè)備自身內(nèi)部。電子設(shè)備完全遭受ESD損毀比較少見,然而ESD干擾卻很常見,它會導(dǎo)致設(shè)備死鎖、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失和不可靠。其結(jié)果可能是:在寒冷干燥的冬季電子設(shè)備經(jīng)常出現(xiàn)故障現(xiàn)象,但是維修時又顯示正常,這樣勢必影響用戶對電子設(shè)備及其制造商的信心。
ESD產(chǎn)生的機理
要防止ESD,首先必須知道ESD是什么以及ESD進入電子設(shè)備的過程。一個充電的導(dǎo)體接近另一個導(dǎo)體時,就有可能發(fā)生ESD。首先,兩個導(dǎo)體之間會建立一個很強的電場,產(chǎn)生由電場引起的擊穿。兩個導(dǎo)體之間的電壓超過它們之間空氣和絕緣介質(zhì)的擊穿電壓時,就會產(chǎn)生電弧。在0.7ns到10ns的時間里,電弧電流會達到幾十安培,有時甚至?xí)^100安培。電弧將一直維持直到兩個導(dǎo)體接觸短路或者電流低到不能維持電弧為止。
ESD的產(chǎn)生取決于物體的起始電壓、電阻、電感和寄生電容:
可能產(chǎn)生電弧的實例有人體、帶電器件和機器。
可能產(chǎn)生尖峰電弧的實例有手或金屬物體。
可能產(chǎn)生同極性或者極性變化的多個電弧的實例有家具。 ESD可以通過五種耦合途徑進入電子設(shè)備:
初始的電場能容性耦合到表面積較大的網(wǎng)絡(luò)上,并在離ESD電弧100mm處產(chǎn)生高達4000V/m的高壓。
電弧注入的電荷/電流可以產(chǎn)生以下的損壞和故障:a. 穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層,損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極(常見)。b. CMOS器件中的觸發(fā)器死鎖(常見)。c. 短路反偏的PN結(jié)(常見)。d. 短路正向偏置的PN結(jié)(少見)。e. 熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線(少見)。
電流會導(dǎo)致導(dǎo)體上產(chǎn)生電壓脈沖(V=L×dI/dt),這些導(dǎo)體可能是電源、地或信號線,這些電壓脈沖將進入與這些網(wǎng)絡(luò)相連的每一個元器件(常見)。
電弧會產(chǎn)生一個頻率范圍在1MHz到500MHz的強磁場,并感性耦合到臨近的每一個布線環(huán)路,在離ESD電弧100mm遠的地方產(chǎn)生高達15A/m的電流。
電弧輻射的電磁場會耦合到長的信號在線,這些信號線起到接收天線的作用(少見)。ESD會通過各種各樣的耦合途徑找到設(shè)備的薄弱點。ESD頻率范圍寬,不僅僅是一些離散的頻點,它甚至可以進入窄帶電路中。為了防止ESD干擾和損毀,必須隔離這些路徑或者加強設(shè)備的抗ESD能力。表1描述了對可能出現(xiàn)的ESD的防范措施以及發(fā)揮作用的場合。 |
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