SJ 20012-92半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級CS4型硅N溝道耗盡型

【 標(biāo)準(zhǔn)編號 】 SJ 20012-92
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級CS4型硅N溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of types CS4 GP,GT and GCT classes
【 發(fā)布單位 】 中國電子工業(yè)總公司
【 發(fā)布日期 】 1992-2-1
【 實施日期 】 1992-5-1
【 開本頁數(shù) 】 11P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4586-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
【 起 草 人 】 王長福; 張宗國; 吳志龍; 劉美英