SJ 20060-92半導(dǎo)體分立器件3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管

【 標(biāo)準(zhǔn)編號 】 SJ 20060-92
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體分立器件3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120
【 發(fā)布單位 】 中國電子工業(yè)總公司
【 發(fā)布日期 】 1992-11-19
【 實施日期 】 1993-5-1
【 開本頁數(shù) 】 9P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所; 石家莊無線電二廠
【 起 草 人 】 王長福; 謝佩蘭; 王承琳