SJ 20307-93半導(dǎo)體分立器件FH646型NPN硅功率達(dá)林頓晶體管規(guī)范

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 SJ 20307-93
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) 】 半導(dǎo)體分立器件FH646型NPN硅功率達(dá)林頓晶體管詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱(chēng) 】 Detail specification for type FH646 NPN silicon power Darlington transistor
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 批準(zhǔn)單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 發(fā)布日期 】 1993-5-11
【 實(shí)施日期 】 1993-7-1
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 8P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 機(jī)械電子工業(yè)部電子標(biāo)準(zhǔn)化研究所
【 起 草 人 】 蔡仁明; 張濱