SJ/T 10627-1995通過(guò)測(cè)量間隙氧含量的減少表征硅片氧沉淀特性*

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 SJ/T 10627-1995
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 通過(guò)測(cè)量間隙氧含量的減少表征硅片氧沉淀特性的方法  
【 英文名稱 】 Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 批準(zhǔn)單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 發(fā)布日期 】 1995-4-22
【 實(shí)施日期 】 1995-10-1
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 5P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 1557; GB/T 14143
【 起草單位 】 電子工業(yè)部第46研究所
【 起 草 人 】 何秀坤; 汝瓊娜; 李光平; 段曙光