基帶衰落模擬器校準(zhǔn)規(guī)范征求意見(jiàn)稿

1 范圍

本校準(zhǔn)規(guī)范適用于新制造、使用中和修理后的基帶衰落模擬器的校準(zhǔn)。

2引用文獻(xiàn)

JJF 1286-2011 無(wú)線信道模擬器校準(zhǔn)規(guī)范

3 概述

基帶衰落模擬器對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行抽樣，利用數(shù)字信號(hào)處理算法對(duì)抽樣數(shù)字序列進(jìn)行處理，然后將處理后的數(shù)字序列經(jīng)過(guò)數(shù)模轉(zhuǎn)換、濾波等環(huán)節(jié)輸出，能夠完全參數(shù)化的實(shí)時(shí)仿真建立信號(hào)傳播環(huán)境模型，模擬多普勒頻移、瑞利衰落、萊斯衰落等信號(hào)傳播特征，具備GSM、CDMA、WLAN等無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)的信道模擬能力，主要用于無(wú)線通信設(shè)備和產(chǎn)品的研發(fā)、制造和評(píng)估。

4 計(jì)量特性

4.1參考晶體振蕩器

頻率：10 MHz

準(zhǔn)確度：1×10-6

4.2路徑損耗

路徑損耗范圍：0 dB~50 dB

路徑損耗最大允許誤差：±0.3 dB

4.3多普勒頻移

多普勒頻移范圍：0.1 Hz~1600 Hz

多普勒頻移最大允許誤差：±1%

4.4頻率響應(yīng)

頻率范圍：5 Hz~160 MHz

頻率響應(yīng)：-0.6 dB~+0.1 dB

4.5 直流偏置電壓

直流電壓范圍：-2 V~2 V

直流電壓最大允許誤差：±2 mV

4.6頻譜純度：<-60dB

4.7路徑時(shí)延

路徑時(shí)延范圍：0 μs~1600 μs

路徑時(shí)延最大允許誤差：±5 ns

4.8I/Q不平衡：

I/Q時(shí)延
不平衡：±2ns

I/Q幅度

不平衡：±0.25 dB

I/Q相位

不平衡：±
0.8 °

注：以上所有指標(biāo)不用于合格性判別，僅提供參考。

5 校準(zhǔn)條件

5.1 環(huán)境條件

5.1.1
環(huán)境溫度：23 ℃±5 ℃

5.1.2
相對(duì)濕度：20%~80%

5.1.3
電源要求：(220±11)V、(50±1) Hz

5.1.4
周?chē)鸁o(wú)影響儀器正常工作的電磁干擾和機(jī)械振動(dòng)。

5.2 校準(zhǔn)用設(shè)備

5.2.1
信號(hào)發(fā)生器

頻率范圍：5 Hz~160 MHz

輸出功率電平范圍：-60 dBm~+10 dBm

功率電平最大允許誤差：±1.0 dB

5.2.2
頻率計(jì)數(shù)器

頻率范圍：5 Hz~160 MHz

準(zhǔn)確度：1×10-7

5.2.3
電壓表

直流電壓測(cè)量范圍：-3 V~3 V

最大允許誤差：±0.02%

5.2.4
頻譜分析儀

頻率范圍：5 Hz~480 MHz

電平測(cè)量范圍：-100 dBm~+10 dBm

線性度最大允許誤差：±0.1 dB

5.2.5
網(wǎng)絡(luò)分析儀

頻率范圍：5 Hz~160 MHz

幅度測(cè)量最大允許誤差：±0.08 dB

相位測(cè)量最大允許誤差：±0.2 °