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ASTM F 616M-1996 測量MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體...

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兌水 發表于 2009-11-21 08:00:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
F616M-96(2003) Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)

ASTM F 616M-1996.pdf

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