QT2型晶體管圖示儀作業(yè)指導書

QT2型晶體管圖示儀作業(yè)指導書
特別提示：
由于本儀器輸出扦孔可輸出高壓或本身帶有高壓，本儀器在使用前必須良好接地以及將電壓級按至最小檔，峰值電壓逆時針旋至零。
一、        使用前的注意事項：
1、        嚴格按照BOM上的直流參數進行，本機可輸出5KV的高壓檔位設定；特別要了解被測晶體管的集電極最大允許耗散功率PCM，集電極對其它極的最大反向擊穿電壓如BVCEO、BVCBO、BVCER，集電極最大允許電流ICM等主要指標；
2、        在測試前首先要將極性與被測管所需的極性相同即可選擇PNP或NPN的開關置于規(guī)定位置；
3、        將集電極電壓輸出按至其輸出電壓不應超過被測管允許的集電極電壓，同時將峰值電壓旋至零，輸出電壓按至合適的檔級并將功耗限制電阻置于一定的阻值，同時將X、Y偏轉開關置于合適的檔級，此檔級以不超過上述幾個主要直流參數為原則；
4、        對被測管進行必要的結算，以選擇合格的X階梯電流或電壓，此結逄的原則以不超過被測管的集電極最大允許耗損功率；
5、        在進行ICM的測試時一般采用單次階梯為宜，以免被測管的電流擊穿；
6、        在進行IC或ICM測試中應根據集電極電壓的實際情況，不應超過本儀器規(guī)定的最大電流，具體數據列表如下；
電壓檔次        10V        50V        100V        500V        5KV
允許最大電流        50A        10A        5A        0.5A        5MA
     在進行50A（10A）檔級時當實際測試電流超過20A時以脈沖階梯為宜。
二、        測試前的開機與調節(jié)：
1、        開啟電源：將電源開關向右方向按動，此時白色指示燈亮，待預熱十分鐘后立即進行正常測試；
2、        調節(jié)光度聚焦、輔助聚焦及標尺亮度：將示波管會聚成一清晰的小光點，標尺亮度以能清晰滿足測量要求為原則；
3、        Y、X移位：對Y、X檔位旋鈕置于中心位置，此時光點應根據PNP、NPN開關的選擇處于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再調節(jié)移位旋鈕使其在左下方或右止方實線部份的零點；
4、        對Y、X校準：將Y、X靈敏度分別進行10度校準，其方法將Y（或X）方式開關自“I”至“校準”，此時光點或基線應有10度偏轉，如超過或不到時應進行增益調節(jié)（    調節(jié)W       ）；
5、        階梯調零：階梯調零的依據即將階梯先在示波管上顯示，然后根據方放大器輸入端接地所顯示的位置，再調節(jié)調零電位器使其與放大器接時時重合即完成調零；
調節(jié)方式前先將Y偏轉放大器置于基級電流或基極源電壓（即“     ”）檔級，X偏轉放大器置于UC的位置任意標級，將測試選擇置于“NPN”，   置于“常態(tài)”，階梯幅度/級置于電壓/級的任何檔級，集電極電壓置于任意檔級使示波管顯示電壓值，此時即能調零使第一根基線與Y偏轉放大器“  ”的重合即完成了調零步驟；
6、        電容性電流平衡：在要求較高電流靈敏度檔級進行測量時，可對電容性電流進行平衡，平衡方式將Y偏轉放大器置于較高靈敏度檔級使示波管顯示一電容性電流，調節(jié)電容平衡旋鈕使其達到最小值即可；
7、        集電極電壓檢查：在進行測量前應檢查集電極電壓的輸出范圍，檢查時將VC置于相對應檔次，當發(fā)現將峰值電壓順時針方向最大時，其輸出在規(guī)定值與大于10%之間即正常（用普通電壓表測量結果比規(guī)定值少10%左右）。

三、        測試：
1 ⑴ 、若發(fā)射極VCE-IC特性（基極信號為變量）。
①        根據集電極基級的極性將測試選擇開關置于NPN（此時集電極電壓，基極電壓均為正）或（PNP（此時集電極電壓，基極電壓均為負）并將“   ”開關置于常態(tài)，如基極需要反擔時可置于“侄置”；
②        被測管的C.B.E按規(guī)定進行連接；
③        將Y電流/度置于IC合適檔級，X電壓/度置于UC合適檔級；
④        測試A與測試B搬向被測管連接的一邊；
⑤        集電極電壓按照要求值進行調節(jié)并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零點與零刻度線重合；
⑥        選擇合適的階梯幅度/級開關旋至電流/級較小檔級，再逐漸加大至要求值；
⑦        選擇合適的功耗限制電阻，電阻值的確定可接負載的要求或保護被測管的要求進行選擇；
⑧        觀察顯示的曲線（波形），并進行讀數記錄；
（2）        、其發(fā)射極IB-IC特性：
①        根據集電極基極的極性將測試選擇開關置于NPN或PNP檔級，并將“”開關置于常態(tài)，如基極需要反向可置于侄置；
②        被測管的CBE按規(guī)定進行連接；
③        將Y電流/度置于IC合適檔級，W電壓/度置于“   ”的檔級；
④        測試A與測試B搬向被測管連接的一邊；
⑤        集電極電壓按要求值與功耗限制電阻進行調節(jié)（必要時將X電壓/度置于UC檔級進行較精確的調節(jié)）；
⑥        將Y。Y方式開關“    “調節(jié)零點位置；
⑦        選擇合格的階梯幅度/級開關一般置于較小檔級再逐漸加大至要求值；
⑧        對所顯示的IB-IC曲線（波形）進行觀察記錄，讀取數據，并計算NFE值：
       NFE=IC/IB
       IC=示波管刻度×檔次讀數
       IB=幅度/級×級數
⑵、①反壓特性測試及二極管特性測試：
本②儀器可進行下列各種反向擊穿電壓測試，測試定義見有關半導體測試標準，測試接線請參見下表：
VCBO集電極基極間電壓（發(fā)射極開路）         

VEBO發(fā)射極與基極間電壓（集電極開路）         

VCEO集電極與發(fā)射間電壓（基極開路）         

VCER集電極與發(fā)射極間電壓（基極與發(fā)射極間電阻連接）         

VCES集電極與發(fā)射間電壓（基極與發(fā)射極短）         

①        根據被測管的極性選擇PNP、NPN的位置，是顯示“PNP”位置時，集電極電壓為（-）極性，當置于“NPN”位置時，集電極電壓為（=）極性；
②        被測管的CBE接上表的連接方法進行連接；
③        Y偏轉放大器的電流/度開關置于較靈敏檔級（一般100/UA度檔級）；
④        Q偏轉放大器的電壓/度置于UC合適的檔級（視被測管的特性及集電極的電壓輸出值而定）；
⑤        將功耗限制電阻置于較大檔級（一般置于10KΩ-100KΩ之間）；
⑥        選擇測試A、B的位置；
⑦        選擇合適的電壓檔級，峰值電壓調為零，當測試時再按順時針方向徐徐加大輸出電壓；
2、        本儀器提供了兩種測試二極管特性的手段，當反壓<500V電流<5MA時可在上述的三極管測試中，利用C、E兩端進行正向和反向測試，當電壓>500V電流>5MA時，可在專用的二極管測試扦孔進行測試。
在<500V二極管測試中電壓極性也由測試選擇開關進行轉換，當置于“NPN”檔級時，其集電極扦孔為正電壓，置于“PNP”檔極時，集電極扦孔為負電壓，而在5000V二極管測試中其輸出扦孔電壓極性不變。
現將二極管測試部分的方法介紹如下：
①        通過二極管測試盒與儀器二極管測試孔相連，被測管接面板所示的二極管極性與測試孔相連，<500V用三極管測試的C、E孔與二極管相連；
②        選擇合適后電壓檔級，5KV時用二極管測試端測量，此時必先將峰值電壓逆時針方向旋轉至零；
③        半Y電流/度置于10范圍內的合適檔級，并將X電壓/度置于UD范圍內后合適檔級；
④        按入“測試”按鈕，（5KV測試時），并徐徐緩慢升高峰值電壓直至要求值或二極管擊穿電流超過規(guī)定值的電壓時止；
⑤        對示波器所顯示的曲線（波形）進行觀察、讀取、記錄；
⑥        由于測試扦孔中具有高壓，因此測試前后都必須將峰值電壓調零，電壓檔按至最小檔。
⑶、場效應管特性測試：
場效應管的測試可根據需要對漏源電流（IDS），最大漏源電流（IDSM）飽和漏源電流（IDSS）夾斷電壓（VP）跨號（PM）最大電源電壓（BVDS）等參數進行測試；
①        根據P溝道或N溝道的具體管型分別將測試選擇開關置于PNP或NPN，并將“    ”開關置于“倒置”，必要時也可置于“常態(tài)”；
②        被測管的D接C、G接B、S接E；
③        將Y電流/度置于IC合適檔級（實際為IDS值），X電壓/度開關置于UC合適檔級（實際為UDS值）；
④        測試A與測試B搬向被測管的一邊；
⑤        按照UDS要求值調節(jié)集電級峰值電壓值，并調節(jié)使在左下方（N溝誕）或右上方（P溝誕）的示波器零刻度重合；
⑥        選擇合適的階梯幅度/級開關置于電壓/級較小檔級再逐漸加大至要求值；
⑦        選擇合適的功耗限制電阻，電阻值的確定可按負載的要求或保護被測管的要求進行選擇；
⑧        對所顯示的VDS-ID曲線波形進行讀數或記錄、觀察；
⑨        如需要顯示VGS-ID曲線可將X電壓/度置于“    ”檔級。
⑷、可控硅特性測試：
可控硅的測②試可根據需要對正向阻斷峰值電壓（PEV），正向漏電流（IPF），反向阻斷峰值電壓（PRV）反向漏電流（IR），控制極可觸發(fā)電壓（VGT），控制極可觸發(fā)電流（IGE）正向電壓降（VF）條參數進行測試。
①        將測試選擇開關置于NPN，并將“     ”開關置于“常態(tài)”；
②        被測管的A接C、G接B、C接E；
③        將Y電流/度開關置于IC范圍內的合適檔級（實際為IF值）；X電壓/度開關置于UD合格檔級（實際上UA值）；
④        測試A 與B搬向被測管的一邊；
⑤        選擇合適的功耗限制電阻（要求>0Ω），以免電流過大而使被測管烤壞；
⑥        按照VAC的要求值調節(jié)集電極峰值電壓值，使顯示值與右下方的零刻度重合；
⑦        選擇合適的階梯幅度/級開關置于電壓/級的較小檔級，再逐漸加大至達到可觸發(fā)點；
⑧        對顯示的VA-IF曲線（波形）進行觀察、讀取及記錄；
⑨        如需要顯示IGT-VGT曲線可將X電壓/度置于VBE檔級，Y電流/度置于“    ”檔級。
以下例舉各種正常與非正常曲線（波形）以你供參考：

不錯 夠詳細的

詳細！使用說明。。。。。。。。。。。。。。。

學習了，謝謝分享！還不會使用呢！

很好，值得學習

QT2型晶體管圖示儀是上海新建儀器有限公司制造嗎？

學習了，不叫復雜 啊