GB/T 14119-1993 半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 14119-93
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Blank detail specification for semiconductor integrated circuit fusible-link programmable bipolar read-only memories
【 發(fā)布單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1993-3-18
【 實(shí)施日期 】 1993-8-1
【 所屬標(biāo)準(zhǔn) 】 GB
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 13P
【 采用關(guān)系 】 IEC TC 47A(CO),REF
【 起草單位 】 集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)
【 起 草 人 】 吳佑華; 王鴻賓