GB/T 15450-1995 硅雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 15450-1995
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 硅雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
【 發(fā)布單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1995-1-5
【 實(shí)施日期 】 1995-8-1
【 開本頁(yè)數(shù) 】 16P
【 采用關(guān)系 】 IEC 747-8-1,IDT
【 起草單位 】 上海無(wú)線電十四廠
【 起 草 人 】 張松鶴; 劉美英; 王長(zhǎng)福