SJ 20016-92半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級3DG182型NPN硅

【 標(biāo)準(zhǔn)編號 】 SJ 20016-92
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級3DG182型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP、GT and GCT classes
【 發(fā)布單位 】 中國電子工業(yè)總公司
【 發(fā)布日期 】 1992-2-1
【 實施日期 】 1992-5-1
【 開本頁數(shù) 】 11P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所; 國營八二三一廠
【 起 草 人 】 王長福; 龔云; 葛毅妮