SJ 20176-92半導體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率

【 標準編號 】 SJ 20176-92
【 標準名稱 】 半導體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細規范  
【 英文名稱 】 Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of type 3DG3439 and 3DG 3440
【 發布單位 】 中國電子工業總公司
【 批準單位 】 中國電子工業總公司
【 發布日期 】 1992-11-19
【 實施日期 】 1993-5-1
【 開本頁數 】 12P
【 引用標準 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 中國電子技術標準化研究所; 國營八二三一廠
【 起 草 人 】 王長福; 吳鑫奎; 龔云