SJ/T 10481-94硅外延層電阻率的面接觸三探針測(cè)試方法

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 SJ/T 10481-94
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 硅外延層電阻率的面接觸三探針測(cè)試方法  
【 英文名稱 】 Test method for resistivity of silicon epitaxial layers by area contacts three-probe techniques
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 批準(zhǔn)單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 發(fā)布日期 】 1994-4-11
【 實(shí)施日期 】 1994-10-1
【 開本頁(yè)數(shù) 】 8P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 SJ 1550; GB 1550; GB 1552
【 起草單位 】 電子工業(yè)部第四十六研究所; 常熟半導(dǎo)體器件廠
【 起 草 人 】 孫毅之; 程元生; 朱坤寶; 夏瑞明; 王鳳仙