SJ/T 10482-94半導(dǎo)體中深能級(jí)的瞬態(tài)電容測(cè)試方法

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 SJ/T 10482-94
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 半導(dǎo)體中深能級(jí)的瞬態(tài)電容測(cè)試方法  
【 英文名稱 】 Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 批準(zhǔn)單位 】 中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部
【 發(fā)布日期 】 1994-4-11
【 實(shí)施日期 】 1994-10-1
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 6P
【 采用關(guān)系 】 ASTM F978-90
【 起草單位 】 電子工業(yè)部第四十六研究所
【 起 草 人 】 劉春香; 張若愚; 段曙光