新型存儲芯片可保存數據10億年

美國加州大學、勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家們推出一種新的計算機內存芯片，其數據存儲量要比常規硅芯片高數千倍，且預估壽命將超過10億年。此項發現預計將發表在6月10日美國化學協會的《納米通信》雜志上。
　　將更多的數字圖像、音樂和其他數據裝入USB和智能電話中的硅芯片，就像是將更多的草莓塞進同樣大小的紙箱里。塞得越多，損壞的速度就越快?，F今內存卡中每平方英寸10吉至100吉的數據預估壽命只有10年至30年。而對電子行業來說，未來的iPod、智能收集和其他設備需要更高的數據存儲密度。
　　研究人員稱，這種最高存儲密度芯片可在幾分之一秒的時間內保存超高密度的數據。此內存芯片將鐵納米粒子封閉在一個中空的鐵納米管內。在電場作用下，納米粒子以非常高的精度來回穿梭。由此創建出一個可編程的內存系統，像硅芯片一樣，它可記錄數字信息，并使用常規電腦硬件將其復現。
　　實驗和理論研究表明，該芯片的存儲密度可高達每平方英寸1萬億字節，且其溫度穩定度超過10億年。