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計(jì)量論壇

標(biāo)題: GB/T 14141-1993 硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 [打印本頁(yè)]

作者: jinyibu 時(shí)間: 2009-1-16 12:22
標(biāo)題: GB/T 14141-1993 硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定
【標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 14141-1993
【標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) 】硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針?lè)?nbsp;
【英文名稱(chēng) 】 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
【發(fā)布單位】 SBTS
【批準(zhǔn)單位】國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【發(fā)布日期】 1993-2-6
【實(shí)施日期】 1993-10-1
【所屬標(biāo)準(zhǔn) 】 GB
【開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 4P
【采用關(guān)系】 ASTM F374-1984,EQV

bz001011212.pdf

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