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標(biāo)題: GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定 [打印本頁(yè)]

作者: woshi_tjy 時(shí)間: 2008-12-31 12:26
標(biāo)題: GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定
【標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 6616-1995
【標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) 】半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法
【英文名稱(chēng) 】 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
【發(fā)布單位】 SBTS
【批準(zhǔn)單位】國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【發(fā)布日期】 1995-4-18
【實(shí)施日期】 1995-12-1
【開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 5P
【替代標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 6616-1986
【采用關(guān)系】 ASTM F673-1990,EQV
【起草單位】上海有色金屬研究所

bz001015861.pdf

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