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標(biāo)題: GB/T 13389-92摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程 [打印本頁]

作者: lxm4 時間: 2008-12-28 11:20
標(biāo)題: GB/T 13389-92摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
【標(biāo)準(zhǔn)編號】 GB/T 13389-92
【標(biāo)準(zhǔn)名稱】摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
【英文名稱】 Practice for conversion between resistivity and dopant density of boron-doped and phosphorus-doped silicon
【發(fā)布單位】國家技術(shù)監(jiān)督局
【批準(zhǔn)單位】國家技術(shù)監(jiān)督局
【發(fā)布日期】 1992-2-19
【實施日期】 1992-10-1
【英文關(guān)鍵詞】 Electrical resistivity; Boron; Conversion; Phosphorus; Silicon; Regulations; Doping agents
【所屬標(biāo)準(zhǔn) 】 GB
【開本頁數(shù) 】 18P
【引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 6615
【采用關(guān)系】 ASTM F723,EQV
【起草單位】峨嵋半導(dǎo)體材料研究所
【起草人】過惠芬; 陳永同; 吳道榮

摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程.pdf

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