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計量論壇

標題: 半導體發(fā)光二極管測試方法 [打印本頁]

作者: sunhz    時間: 2007-5-21 11:08
標題: 半導體發(fā)光二極管測試方法
半導體發(fā)光二極管測試方法

摘要
系統(tǒng)地介紹了與發(fā)光二極管測試有關(guān)的術(shù)語和定義,在此基礎(chǔ)上,詳細介紹了測試方法和測試裝置的要求。
1 前 言
半導體發(fā)光二極管是一種重要的光電子器件,它在科學研究和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中均有非常廣泛的應用.發(fā)光二極管雖小,但要準確測量它的各項光和輻射參數(shù)并非一件易事.目前在世界范圍內(nèi)的測試比對還有較大的差異.鑒于此,CIE(國際照明委員會)TC2-34小組對此進行了研究,所提出的技術(shù)報告形成了CIE127-1997文件.
中國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電器件專業(yè)分會根據(jù)國內(nèi)及行業(yè)內(nèi)部的實際情況,初步制定了行業(yè)標準"發(fā)光二極管測試方法",2002年起在行業(yè)內(nèi)部試行.本文敘述了與發(fā)光二極管測試有關(guān)的術(shù)語和定義,在此基礎(chǔ)上,詳細介紹了測試方法和測試裝置的要求,以期收到拋磚引玉之效果.
本文涉及的測試方法適用于紫外/可見光/紅外發(fā)光二極管及其組件,其芯片測試可以參照進行。
2 術(shù)語和定義
2.1發(fā)光二極管 LED
除半導體激光器外,當電流激勵時能發(fā)射光學輻射的半導體二極管。嚴格地講,術(shù)語LED應該僅應用于發(fā)射可見光的二極管;發(fā)射近紅外輻射的二極管叫紅外發(fā)光二極管(IRED,Infrared Emitting Diode);發(fā)射峰值波長在可見光短波限附近,由部份紫外輻射的二極管稱為紫外發(fā)光二極管;但是習慣上把上述三種半導體二極管統(tǒng)稱為發(fā)光二極管。
2.2光軸 Optical axis
最大發(fā)光(或輻射)強度方向中心線。
2.3正向電壓VF Forward voltage
通過發(fā)光二極管的正向電流為確定值時,在兩極間產(chǎn)生的電壓降。
2.4反向電流IR Reverse current
加在發(fā)光二極管兩端的反向電壓為確定值時,流過發(fā)光二極管的電流。
2.5反向電壓VR Reverse voltage
被測LED器件通過的反向電流為確定值時,在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
2.6總電容C Capacitance
在規(guī)定正向偏壓和規(guī)定頻率下,發(fā)光二極管兩端的電容。
2.7開關(guān)時間 Switching time
涉及以下概念的最低和最高規(guī)定值是10%和90%,除非特別注明。
2.7.1開啟延遲時間td(on) Turn-on delay time
輸入脈沖前沿最低規(guī)定值到輸出脈沖前沿最低規(guī)定值之間的時間間隔。
2.7.2上升時間tr Rise time
輸出脈沖前沿最低規(guī)定值到最高規(guī)定值之間的時間間隔。
2.7.3開啟時間ton Turn-on time
器件所加輸入脈沖前沿的最低規(guī)定值到輸出脈沖前沿最高規(guī)定值之間的時間間隔。
ton= td(on)+tr

2.7.4關(guān)閉延遲時間td(off) Turn-off delay time
器件所加輸入脈沖后沿的最高規(guī)定值到輸出脈沖后沿最高規(guī)定值之間的時間間隔。
2.7.5下降時間tf Fall time
輸出脈沖后沿最高規(guī)定值到最低規(guī)定值之間的時間間隔(見圖1)。

圖1 開關(guān)時間 延遲時間

2.7.6關(guān)閉時間toff Turn-off time
器件所加輸入脈沖后沿的最低規(guī)定值到輸出脈沖后沿最低規(guī)定值之間的時間間隔。


toff =td(off)+tf


2.8光通量Φv Luminous flux
通過發(fā)光二極管的正向電流為規(guī)定值時,器件光學窗口發(fā)射的光通量。
2.9輻射功率Φe Radiant power
通過發(fā)光二極管的正向電流為規(guī)定值時,器件光學窗口發(fā)射的輻射功率。
2.10輻射功率效率ηe Radiant power efficiency
器件發(fā)射的輻射功率 與器件的電功率(正向電流 乘以正向電壓 )的比值:
ηe =Φe/(IF?VF)

注:在與其它術(shù)語不會混淆時,可簡稱為輻射效率 (Radiant efficiency)。
2.11光通量效率ηv Luminous flux efficiency
器件發(fā)射的光通量Φv 與器件的電功率(正向電流 IF乘以正向電壓 VF)的比值:
ηv =Φv/(IF?VF)

注:在與其它術(shù)語不會混淆時,可簡稱為發(fā)光效率(Luminous efficiency)。
2.12發(fā)光(或輻射)空間分布圖及相關(guān)特性
2.12.1發(fā)光(或輻射)強度Iv Luminous(or Radiant) intensity
光源在單位立體角內(nèi)發(fā)射的光(或輻射)通量,可表示為Iv =dΦ/dΩ。發(fā)光(或輻射)強度的概念要求假定輻射源是一個點輻射源,或者它的尺寸和光探測器的面積與離光探測器的距離相比是足夠小,在這種情形,光探測器表面的光(或輻射)照度遵循距離平方反比定理,即E=I/d2 。這里I是輻射源的強度,d是輻射源中心到探測器中心的距離。把這種情況稱為遠場條件。
然而在許多應用中,測量LED時所用的距離相對較短,源的相對尺寸太大,或者探測器表面構(gòu)成的角度太大,這就是所謂的近場條件。此時,光探測器測量的光(或輻射)照度取決于正確的測量條件。
2.12.2平均LED強度 Averaged LED intensity
照射在離LED一定距離處的光探測器上的通量Φ與由探測器構(gòu)成的立體角Ω 的比值,立體角可將探測器的面積S除以測量距離d的平方計算得到。
I=Φ/Ω=Φ/(S/d2)


CIE推薦標準條件A和B(見7.2.1.2)來測量近場條件下的平均LED強度,可以分別用符號ILED A和ILED B來表示,用符號ILED Ae和ILED Av分別表示標準條件A測量的平均LED輻射強度和平均LED發(fā)光強度。
2.12.3發(fā)光(或輻射)強度空間分布圖 Luminous(or Radiant)diagram
反映器件的發(fā)光(或輻射)強度空間分布特性(見圖2):
Iv(或Ie)=f(θ)


圖2 輻射圖和有關(guān)特性



注1:除非另外規(guī)定,發(fā)光(或輻射)強度分布應該規(guī)定在包括機械軸Z的平面內(nèi)。
注2:如果發(fā)光(或輻射)強度分布圖形有以Z軸為旋轉(zhuǎn)對稱特性,發(fā)光(或輻射)強度空間分布圖僅規(guī)定一個平面。
注3:如果沒有以Z軸為旋轉(zhuǎn)對稱特性,各種角度θ的發(fā)光(或輻射)強度分布應有要求,X、Y、Z方向要求可有詳細規(guī)范定義。
2.12.4半強度角θ1/2 Half-intensity angle
在發(fā)光(或輻射)強度分布圖形中,發(fā)光(或輻射)強度大于最大強度一半構(gòu)成的角度(見圖2)。
2.12.5偏差角Δθ Misalignment angle
在發(fā)光(或輻射)強度分布圖形中,最大發(fā)光(或輻射)強度方向(光軸)與機械軸Z之間的夾角(見圖2)。
2.13光譜特性
2.13.1峰值發(fā)射波長λp Peak-emission wavelength
光譜輻射功率最大的波長。
2.13.2光譜輻射帶寬Δλ Spectral radiation bandwith
光譜輻射功率大于等于最大值一半的波長間隔。
2.13.3光譜功率(能量)分布P(λ) Spectral power distribution
在光輻射波長范圍內(nèi),各個波長的輻射功率分布情況。
3 最大額定值
3.1 最低和最高儲存溫度(Tstg )
3.2 最低和最高工作環(huán)境溫度或管基溫度(Tamb 或Tcase )
3.3 最大反向電壓(VR )
注:不可用于相互首尾相接的雙管器件。
3.4 在25℃環(huán)境或管基溫度時的最大連續(xù)正向電流(IF )和減額定值曲線或減額定值系數(shù)。
3.5 在適當?shù)胤剑谝?guī)定脈沖條件下,在25℃環(huán)境或管基溫度時的最大峰值正向電流(IFM )
4 主要光電特性(見表1)


5 一般要求
5.1 試驗條件
除非另有規(guī)定,器件的光電參數(shù)測試應按本標準規(guī)定試驗條件進行。
5.1.1 標準大氣條件
溫度:15℃~35℃
相對濕度:20%~80%
氣壓:86kPa~106kPa
5.1.2 仲裁試驗的標準大氣條件
溫度:25℃±1℃;
相對濕度:48%~52%;
氣壓:86kPa~106kPa
5.1.3 環(huán)境條件
a) 測試環(huán)境應無影響測試準確度的機械振動和電磁干擾;.
b) 除非另有規(guī)定,器件全部光電參數(shù)均應在熱平衡下進行;
c) 測試系統(tǒng)應接地良好。
5.2 參數(shù)要求
除非另有規(guī)定,器件測試應采取預防措施和保持下述公差。雖然在有關(guān)文件中規(guī)定的測試條件嚴于下述公差,但在一般情況下,應遵循下述規(guī)定的條件。
a) 偏置條件應在規(guī)定值的±3%以內(nèi);
b) 輸入脈沖特性,重復頻率和頻率等的誤差應在±10%以內(nèi);
c) 測量開關(guān)參數(shù)的誤差應在±5%以內(nèi);
d) 測量直流電參數(shù)誤差不大于±2%;
e) 測量輻射功率的誤差不大于5%;
f) 測量峰值輻射波長的誤差不大于±2nm;
g) 測量半強度角誤差不大于10%;
h) 測量發(fā)光強度誤差不大于25%。
 
作者: sunhz    時間: 2007-5-21 11:10
半導體發(fā)光器件測試方法
6 測試方法
測試方法分為:
a) 1000類 電特性測試方法
--方法1001 正向電壓
--方法1002 反向電壓
--方法1003 反向電流
--方法1004 總電容
b) 2000類 光特性測試方法
--方法2001 平均LED強度
--方法2002 半強度角和偏差角
--方法2003 光通量和發(fā)光效率
--方法2004 輻射通量和輻射效率
--方法2005 峰值發(fā)射波長,光譜輻射帶寬和光譜功率分布
c) 3000類 光電特性測試方法
--方法3001 開關(guān)時間
6.1 1000類 電特性測試方法
6.1.1 方法1001:正向電壓
6.1.1.1 目的
測量LED器件在規(guī)定正向工作電流下,兩電極間產(chǎn)生的電壓降。
6.1.1.2 測試框圖(見圖3)

圖3 方法1001測試框圖


D--被測LED器件;
G--恒流源;
A--電流表;
V--電壓表。

6.1.1.3 測試步驟
a) 按圖3原理連接測試系統(tǒng),并使儀器預熱;
b) 調(diào)節(jié)恒流源,使電流表讀數(shù)為規(guī)定值,這時在直流電壓表上的讀數(shù)即為被測器件的正向電壓。
6.1.1.4 規(guī)定條件
環(huán)境或管基溫度;
電源電壓;
正向偏置電流。
6.1.2 方法1002:反向電壓
6.1.2.1 目的
測量通過LED器件的反向電流為規(guī)定值時,在兩電極之間產(chǎn)生的反向電壓。
6.1.2.2 測試框圖(見圖4)


圖4 方法1002測試框圖

D--被測LED器件;
G--穩(wěn)壓源;
A--電流表;
V--電壓表。

6.1.2.3 測試步驟
a) 按圖4原理連接測試系統(tǒng),并使儀器預熱。
b) 調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電源,使電流表讀數(shù)為規(guī)定值,這時在直流電壓表上的讀數(shù)即為被測器件的反向電壓。
6.1.2.4 規(guī)定條件
環(huán)境或管基溫度;
電源電壓;
反向電流。
6.1.3 方法1003:反向電流
6.1.3.1 目的
測量在被測LED器件施加規(guī)定的反向電壓時產(chǎn)生的反向電流。
6.1.3.2 測試框圖(見圖5)

圖5 方法1003測試框圖

D--被測LED器件;
G--穩(wěn)壓源;
A--電流表;
V--電壓表。


作者: sunhz    時間: 2007-5-21 11:11
6.1.3.3 測試步驟
a) 按圖5原理連接測試系統(tǒng),并使儀器預熱。
b) 調(diào)節(jié)穩(wěn)壓電源,使電壓表讀數(shù)為規(guī)定值,這時在直流電流表上的讀數(shù)即為被測器件的反向電流。
6.1.3.4 規(guī)定條件
環(huán)境或管基溫度;
電源電壓;
反向電流。
6.1.4 方法1004:總電容
6.1.4.1 目的
在被測LED器件施加規(guī)定的正向偏壓和規(guī)定頻率的信號時,測量被測器件兩端的電容值。
6.1.4.2 測試框圖(見圖6)

圖6 方法1004測試框圖

D--被測LED器件;
C0--隔離電容;
A--電流表;
V--電壓表;
L--電感。

6.1.4.3 測試步驟
a) 按圖6原理連接測試系統(tǒng),并使儀器預熱;
b) 調(diào)節(jié)電壓源和調(diào)節(jié)電容儀,分別給被測LED器件施加規(guī)定的正向偏壓和規(guī)定頻率的信號,將電容儀刻度盤上讀數(shù)扣去電容C0等效值即為被測LED器件總電容值。
6.1.4.4 規(guī)定條件
環(huán)境或管基溫度;
正向偏置電壓;
電容儀提供規(guī)定頻率的信號。
6.2 2000類 光特性測試方法
6.2.1 方法2001:平均LED強度
6.2.1.1 目的
測量半導體發(fā)光二極管平均LED強度。
6.2.1.2 測試框圖(見圖7)

圖7 方法2001測試框圖

D--被測LED器件;
G--電流源;
PD--包括面積為A的光闌D1的光度探測器;
D2、D3--消除雜散光光欄, D2,D3不應限制探測立體角;
d--被測LED器件與光闌D1之間的距離。
注1:調(diào)整被測LED器件使它的機械軸通過探測器孔徑的中心。
注2:光度探測器的光譜靈敏度在被測器件發(fā)射的光譜波長范圍內(nèi)應該校準到CIE(國際照明委員會)標準光度觀測者光譜曲線;測試輻射參數(shù)時應采用無光譜選擇性的光探測器。測試系統(tǒng)應該按距離d和光闌D1用標準器校正。測量距離d應按CIE推薦的標準條件A和B設(shè)置。在這兩種條件下,所用的探測器要求有一個面積為100mm2(相應直徑為11.3mm)的園入射孔徑。
CIE推薦         LED頂端到探測器的距離d         立體角         平面角(全角)
標準條件A         316mm         0.001sr         2o
標準條件B         100mm         0.01sr         6.5o
注3:對于脈沖測量,電流源應該提供所要求的幅度,寬度和重復率的電流脈沖。探測器上升時間相對于脈沖寬度應該足夠小,系統(tǒng)應該是一個峰值測量儀器。
6.2.1.3 測量步驟
被測LED器件按照選定的形式定位給被測器件加上規(guī)定的電流,在光度測量系統(tǒng)測量平均LED強度。
6.2.1.4 規(guī)定條件
環(huán)境溫度和合適的大氣條件;
正向電流和,需要的話,寬度和重復率;
6.2.2 方法2002:半強度角和偏差角
6.2.2.1 目的
測量半導體發(fā)光二極管在規(guī)定的工作電流下的平均LED強度的空間分布和半最大強度角及偏差角。半強度角 θ1/2是發(fā)光(或輻射)強度大于等于最大強度一半構(gòu)成的角度(見圖8),在平均LED強度分布圖形中,最大強度方向(光軸)與機械軸Z之間的夾角即為偏差角Δθ (見圖8)。
6.2.2.1 測試框圖(見圖8)

圖8 方法2002測試框圖

D:被測LED器件;
G:電流源;
PD:包括面積為A的光闌D1的光度探測器;
D2,D3:消除雜散光光欄, D2,D3不應限制探測立體角;
d:被測LED器件與光闌D1之間的距離;
θ:Z軸和探測器軸之間的夾角。

注1:距離d應該設(shè)置為CIE標準條件A或B;
注2:對于脈沖測量,電流源應該提供所要求的幅度、寬度和重復率的電流脈沖,探測器上升時間相對于脈沖寬度應該足夠小,系統(tǒng)應該是一個峰值測量儀器;
注3:被測LED定位在一種裝置上(如:旋轉(zhuǎn)中心位于系統(tǒng)光軸上的角度盤上,度盤應該有足夠的角度刻度精度),要求:
--被測LED器件位置可精確再現(xiàn);
--變化角度θ、器件D光學窗口的中心能保持固定;
--能測量夾角θ;
--能繞被測器件Z軸旋轉(zhuǎn);
--能測量關(guān)于X軸的旋轉(zhuǎn)角。
6.2.2.2 測量步驟
a) 給被測器件加上規(guī)定的工作電流。調(diào)正被測器件D的機械軸與光探測器軸重合,即θ=0,測量光探測器的信號,把這個值設(shè)置為 I0=100%;
b) 從0-±90°旋轉(zhuǎn)度盤,光電測量系統(tǒng)測量各個角度時的發(fā)光強度值,得到相對強度I /I0 與θ之間的關(guān)系,優(yōu)先采用極坐標圖來表示,其它形式,如直角坐標圖,在空白詳細規(guī)范中定義后可以使用。在該圖上分別讀取半最大強度點對應的角度θ1 θ2 ,半強度角Δθ=|θ2 -θ1 |。偏差角就是Imax 和I0 方向之間的夾角。
6.2.2.3 規(guī)定條件
環(huán)境和管基溫度;
規(guī)定正向電流IF 或者輻射功率Φe;
機械參照平面。
6.2.3 方法2003:光通量和發(fā)光效率
6.2.3.1 目的
測量被測LED器件在規(guī)定條件下的光通量和發(fā)光效率。





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