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標(biāo)題: SJ 20013-92半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級CS10型硅 [打印本頁]

作者: woshi_tjy 時間: 2008-7-31 16:02
標(biāo)題: SJ 20013-92半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級CS10型硅
【標(biāo)準(zhǔn)編號】 SJ 20013-92
【標(biāo)準(zhǔn)名稱】半導(dǎo)體分立器件GP、GT和GCT級CS10型硅N溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
【英文名稱】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of types CS10 GP,GT and GCT classes
【發(fā)布單位】中國電子工業(yè)總公司
【發(fā)布日期】 1992-2-1
【實(shí)施日期】 1992-5-1
【開本頁數(shù) 】 10P
【引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4586-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【起草單位】中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
【起草人】王長福; 吳志龍; 張宗國; 劉美英

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