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標(biāo)題: SJ 20063-92半導(dǎo)體分立器件3DG213型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對 [打印本頁]

作者: woshi_tjy 時(shí)間: 2008-7-31 08:47
標(biāo)題: SJ 20063-92半導(dǎo)體分立器件3DG213型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對
【標(biāo)準(zhǔn)編號】 SJ 20063-92
【標(biāo)準(zhǔn)名稱】半導(dǎo)體分立器件3DG213型NPN硅超高頻低噪聲雙差分對晶體管詳細(xì)規(guī)范
【英文名稱】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise dual-difference match transistor of type 3DG213
【發(fā)布單位】中國電子工業(yè)總公司
【批準(zhǔn)單位】中國電子工業(yè)總公司
【發(fā)布日期】 1992-11-19
【實(shí)施日期】 1993-5-1
【開本頁數(shù) 】 11P
【引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4587-84; GB 7092-86; GJB 33-85; GJB 128-86
【起草單位】中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所; 國營八七一廠
【起草人】王長福; 陳自焜; 黃世杰; 李紅

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