晶圓級薄膜厚度標準片(以下簡稱膜厚標準片)指以硅晶圓片為基底,采用化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及原子層沉積(ALD)等方法生長出微納米量級的單層二氧化硅薄膜,主要被測參數(shù)為薄膜厚度,晶圓級薄膜厚度標準片是集成電路產(chǎn)線質(zhì)控的必要器件。
激光橢偏方法是目前集成電路通用的晶圓級薄膜厚度的校準方法,能夠準確的測量厚度范圍(1~1000)nm的薄膜,激光橢偏測量院里如圖2所示,其可測量的參數(shù)包括薄膜厚度、折射率等。
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