標(biāo)題: ASTM F 616M-1996 測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體... [打印本頁] 作者: 兌水 時間: 2009-11-21 08:00 標(biāo)題: ASTM F 616M-1996 測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體... F616M-96(2003) Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)