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計量論壇

標(biāo)題: QT2型晶體管圖示儀作業(yè)指導(dǎo)書 [打印本頁]

作者: szhlm 時間: 2009-9-13 00:40
標(biāo)題: QT2型晶體管圖示儀作業(yè)指導(dǎo)書
QT2型晶體管圖示儀作業(yè)指導(dǎo)書
特別提示：
由于本儀器輸出扦孔可輸出高壓或本身帶有高壓，本儀器在使用前必須良好接地以及將電壓級按至最小檔，峰值電壓逆時針旋至零。
一、       使用前的注意事項：
1、       嚴(yán)格按照BOM上的直流參數(shù)進行，本機可輸出5KV的高壓檔位設(shè)定；特別要了解被測晶體管的集電極最大允許耗散功率PCM，集電極對其它極的最大反向擊穿電壓如BVCEO、BVCBO、BVCER，集電極最大允許電流ICM等主要指標(biāo)；
2、       在測試前首先要將極性與被測管所需的極性相同即可選擇PNP或NPN的開關(guān)置于規(guī)定位置；
3、       將集電極電壓輸出按至其輸出電壓不應(yīng)超過被測管允許的集電極電壓，同時將峰值電壓旋至零，輸出電壓按至合適的檔級并將功耗限制電阻置于一定的阻值，同時將X、Y偏轉(zhuǎn)開關(guān)置于合適的檔級，此檔級以不超過上述幾個主要直流參數(shù)為原則；
4、       對被測管進行必要的結(jié)算，以選擇合格的X階梯電流或電壓，此結(jié)逄的原則以不超過被測管的集電極最大允許耗損功率；
5、       在進行ICM的測試時一般采用單次階梯為宜，以免被測管的電流擊穿；
6、       在進行IC或ICM測試中應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實際情況，不應(yīng)超過本儀器規(guī)定的最大電流，具體數(shù)據(jù)列表如下；
電壓檔次       10V       50V       100V       500V       5KV
允許最大電流       50A       10A       5A       0.5A       5MA
   在進行50A（10A）檔級時當(dāng)實際測試電流超過20A時以脈沖階梯為宜。
二、       測試前的開機與調(diào)節(jié)：
1、       開啟電源：將電源開關(guān)向右方向按動，此時白色指示燈亮，待預(yù)熱十分鐘后立即進行正常測試；
2、       調(diào)節(jié)光度聚焦、輔助聚焦及標(biāo)尺亮度：將示波管會聚成一清晰的小光點，標(biāo)尺亮度以能清晰滿足測量要求為原則；
3、       Y、X移位：對Y、X檔位旋鈕置于中心位置，此時光點應(yīng)根據(jù)PNP、NPN開關(guān)的選擇處于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再調(diào)節(jié)移位旋鈕使其在左下方或右止方實線部份的零點；
4、       對Y、X校準(zhǔn)：將Y、X靈敏度分別進行10度校準(zhǔn)，其方法將Y（或X）方式開關(guān)自“I”至“校準(zhǔn)”，此時光點或基線應(yīng)有10度偏轉(zhuǎn)，如超過或不到時應(yīng)進行增益調(diào)節(jié)（調(diào)節(jié)W    ）；
5、       階梯調(diào)零：階梯調(diào)零的依據(jù)即將階梯先在示波管上顯示，然后根據(jù)方放大器輸入端接地所顯示的位置，再調(diào)節(jié)調(diào)零電位器使其與放大器接時時重合即完成調(diào)零；
調(diào)節(jié)方式前先將Y偏轉(zhuǎn)放大器置于基級電流或基極源電壓（即“    ”）檔級，X偏轉(zhuǎn)放大器置于UC的位置任意標(biāo)級，將測試選擇置于“NPN”，置于“常態(tài)”，階梯幅度/級置于電壓/級的任何檔級，集電極電壓置于任意檔級使示波管顯示電壓值，此時即能調(diào)零使第一根基線與Y偏轉(zhuǎn)放大器“  ”的重合即完成了調(diào)零步驟；
6、       電容性電流平衡：在要求較高電流靈敏度檔級進行測量時，可對電容性電流進行平衡，平衡方式將Y偏轉(zhuǎn)放大器置于較高靈敏度檔級使示波管顯示一電容性電流，調(diào)節(jié)電容平衡旋鈕使其達到最小值即可；
7、       集電極電壓檢查：在進行測量前應(yīng)檢查集電極電壓的輸出范圍，檢查時將VC置于相對應(yīng)檔次，當(dāng)發(fā)現(xiàn)將峰值電壓順時針方向最大時，其輸出在規(guī)定值與大于10%之間即正常（用普通電壓表測量結(jié)果比規(guī)定值少10%左右）。

作者: szhlm 時間: 2009-9-13 00:41
三、       測試：
1 ⑴ 、若發(fā)射極VCE-IC特性（基極信號為變量）。
①       根據(jù)集電極基級的極性將測試選擇開關(guān)置于NPN（此時集電極電壓，基極電壓均為正）或（PNP（此時集電極電壓，基極電壓均為負）并將“ ”開關(guān)置于常態(tài)，如基極需要反擔(dān)時可置于“侄置”；
②       被測管的C.B.E按規(guī)定進行連接；
③       將Y電流/度置于IC合適檔級，X電壓/度置于UC合適檔級；
④       測試A與測試B搬向被測管連接的一邊；
⑤       集電極電壓按照要求值進行調(diào)節(jié)并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零點與零刻度線重合；
⑥       選擇合適的階梯幅度/級開關(guān)旋至電流/級較小檔級，再逐漸加大至要求值；
⑦       選擇合適的功耗限制電阻，電阻值的確定可接負載的要求或保護被測管的要求進行選擇；
⑧       觀察顯示的曲線（波形），并進行讀數(shù)記錄；
（2）       、其發(fā)射極IB-IC特性：
①       根據(jù)集電極基極的極性將測試選擇開關(guān)置于NPN或PNP檔級，并將“”開關(guān)置于常態(tài)，如基極需要反向可置于侄置；
②       被測管的CBE按規(guī)定進行連接；
③       將Y電流/度置于IC合適檔級，W電壓/度置于“ ”的檔級；
④       測試A與測試B搬向被測管連接的一邊；
⑤       集電極電壓按要求值與功耗限制電阻進行調(diào)節(jié)（必要時將X電壓/度置于UC檔級進行較精確的調(diào)節(jié)）；
⑥       將Y。Y方式開關(guān)“ “調(diào)節(jié)零點位置；
⑦       選擇合格的階梯幅度/級開關(guān)一般置于較小檔級再逐漸加大至要求值；
⑧       對所顯示的IB-IC曲線（波形）進行觀察記錄，讀取數(shù)據(jù)，并計算NFE值：
   NFE=IC/IB
   IC=示波管刻度×檔次讀數(shù)
   IB=幅度/級×級數(shù)
⑵、①反壓特性測試及二極管特性測試：
本②儀器可進行下列各種反向擊穿電壓測試，測試定義見有關(guān)半導(dǎo)體測試標(biāo)準(zhǔn)，測試接線請參見下表：
VCBO集電極基極間電壓（發(fā)射極開路）

VEBO發(fā)射極與基極間電壓（集電極開路）

VCEO集電極與發(fā)射間電壓（基極開路）

VCER集電極與發(fā)射極間電壓（基極與發(fā)射極間電阻連接）

VCES集電極與發(fā)射間電壓（基極與發(fā)射極短）

①       根據(jù)被測管的極性選擇PNP、NPN的位置，是顯示“PNP”位置時，集電極電壓為（-）極性，當(dāng)置于“NPN”位置時，集電極電壓為（=）極性；
②       被測管的CBE接上表的連接方法進行連接；
③       Y偏轉(zhuǎn)放大器的電流/度開關(guān)置于較靈敏檔級（一般100/UA度檔級）；
④       Q偏轉(zhuǎn)放大器的電壓/度置于UC合適的檔級（視被測管的特性及集電極的電壓輸出值而定）；
⑤       將功耗限制電阻置于較大檔級（一般置于10KΩ-100KΩ之間）；
⑥       選擇測試A、B的位置；
⑦       選擇合適的電壓檔級，峰值電壓調(diào)為零，當(dāng)測試時再按順時針方向徐徐加大輸出電壓；
2、       本儀器提供了兩種測試二極管特性的手段，當(dāng)反壓<500V電流<5MA時可在上述的三極管測試中，利用C、E兩端進行正向和反向測試，當(dāng)電壓>500V電流>5MA時，可在專用的二極管測試扦孔進行測試。
在<500V二極管測試中電壓極性也由測試選擇開關(guān)進行轉(zhuǎn)換，當(dāng)置于“NPN”檔級時，其集電極扦孔為正電壓，置于“PNP”檔極時，集電極扦孔為負電壓，而在5000V二極管測試中其輸出扦孔電壓極性不變。
現(xiàn)將二極管測試部分的方法介紹如下：
①       通過二極管測試盒與儀器二極管測試孔相連，被測管接面板所示的二極管極性與測試孔相連，<500V用三極管測試的C、E孔與二極管相連；
②       選擇合適后電壓檔級，5KV時用二極管測試端測量，此時必先將峰值電壓逆時針方向旋轉(zhuǎn)至零；
③       半Y電流/度置于10范圍內(nèi)的合適檔級，并將X電壓/度置于UD范圍內(nèi)后合適檔級；
④       按入“測試”按鈕，（5KV測試時），并徐徐緩慢升高峰值電壓直至要求值或二極管擊穿電流超過規(guī)定值的電壓時止；
⑤       對示波器所顯示的曲線（波形）進行觀察、讀取、記錄；
⑥       由于測試扦孔中具有高壓，因此測試前后都必須將峰值電壓調(diào)零，電壓檔按至最小檔。
⑶、場效應(yīng)管特性測試：
場效應(yīng)管的測試可根據(jù)需要對漏源電流（IDS），最大漏源電流（IDSM）飽和漏源電流（IDSS）夾斷電壓（VP）跨號（PM）最大電源電壓（BVDS）等參數(shù)進行測試；
①       根據(jù)P溝道或N溝道的具體管型分別將測試選擇開關(guān)置于PNP或NPN，并將“ ”開關(guān)置于“倒置”，必要時也可置于“常態(tài)”；
②       被測管的D接C、G接B、S接E；
③       將Y電流/度置于IC合適檔級（實際為IDS值），X電壓/度開關(guān)置于UC合適檔級（實際為UDS值）；
④       測試A與測試B搬向被測管的一邊；
⑤       按照UDS要求值調(diào)節(jié)集電級峰值電壓值，并調(diào)節(jié)使在左下方（N溝誕）或右上方（P溝誕）的示波器零刻度重合；
⑥       選擇合適的階梯幅度/級開關(guān)置于電壓/級較小檔級再逐漸加大至要求值；
⑦       選擇合適的功耗限制電阻，電阻值的確定可按負載的要求或保護被測管的要求進行選擇；
⑧       對所顯示的VDS-ID曲線波形進行讀數(shù)或記錄、觀察；
⑨       如需要顯示VGS-ID曲線可將X電壓/度置于“ ”檔級。
⑷、可控硅特性測試：
可控硅的測②試可根據(jù)需要對正向阻斷峰值電壓（PEV），正向漏電流（IPF），反向阻斷峰值電壓（PRV）反向漏電流（IR），控制極可觸發(fā)電壓（VGT），控制極可觸發(fā)電流（IGE）正向電壓降（VF）條參數(shù)進行測試。
①       將測試選擇開關(guān)置于NPN，并將“    ”開關(guān)置于“常態(tài)”；
②       被測管的A接C、G接B、C接E；
③       將Y電流/度開關(guān)置于IC范圍內(nèi)的合適檔級（實際為IF值）；X電壓/度開關(guān)置于UD合格檔級（實際上UA值）；
④       測試A 與B搬向被測管的一邊；
⑤       選擇合適的功耗限制電阻（要求>0Ω），以免電流過大而使被測管烤壞；
⑥       按照VAC的要求值調(diào)節(jié)集電極峰值電壓值，使顯示值與右下方的零刻度重合；
⑦       選擇合適的階梯幅度/級開關(guān)置于電壓/級的較小檔級，再逐漸加大至達到可觸發(fā)點；
⑧       對顯示的VA-IF曲線（波形）進行觀察、讀取及記錄；
⑨       如需要顯示IGT-VGT曲線可將X電壓/度置于VBE檔級，Y電流/度置于“ ”檔級。
以下例舉各種正常與非正常曲線（波形）以你供參考：

作者: frankzhanguestc 時間: 2012-5-3 15:10
不錯夠詳細的

作者: linmx 時間: 2012-6-4 16:00
詳細！使用說明。。。。。。。。。。。。。。。

作者: 黎明 時間: 2012-6-5 23:13
學(xué)習(xí)了，謝謝分享！還不會使用呢！

作者: xazhangyw 時間: 2014-9-7 12:56
很好，值得學(xué)習(xí)

作者: chenboyou 時間: 2014-9-15 14:33
QT2型晶體管圖示儀是上海新建儀器有限公司制造嗎？

作者: sunhz 時間: 2014-9-27 08:14
學(xué)習(xí)了，不叫復(fù)雜啊

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